Si1-xGex/SOI材料的基本性质与应用前景

• 作者: 吕幼华 张海鹏 章红芳
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: Si1-xGex/SOI 应变层 光波导 光电集成 超晶格
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 专题报道(半导体材料与设备)
• 页码范围: 35-40
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 4626字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2004.03.011

摘要

主要讨论了Si1-xGex/SOI材料的Si1-xGex应变层临界厚度、折射率增量、载流子迁移率、超晶格的线性电光效应、等离子色散效应等基本性质,比较了SOI、Si1-xGex/SOI光波导与石英光波导在光、光电集成方面的优势,简述了与体硅相比,SOI在VLSI应用方面的优越性及其在微电子领域的广泛应用.最后探讨了Si1-Gex/SOI材料在光电集成和光集成领域的巨大应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海鹏		36	96	5.0	7.0
2	吕幼华		6	18	3.0	4.0
3	章红芳		1	6	1.0	1.0