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摘要:
分析了PAE效应(process antenna effect)的成因,并在此基础上提出了几种在深亚微米ASIC设计中消除PAE效应的方法.其方法应用于"龙芯-I CPU"的后端设计,保证了投片的一次成功.
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文献信息
篇名 深亚微米设计中天线效应的消除
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 PAE效应 等离子 栅氧化层 可靠性
年,卷(期) 2004,(7) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 879-883
页数 5页 分类号 TN402
字数 3411字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.07.026
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨旭 中国科学院微电子研究所 53 570 15.0 21.0
2 周玉梅 中国科学院微电子研究所 94 1031 16.0 28.0
3 叶青 中国科学院微电子研究所 103 768 15.0 25.0
4 黄令仪 中国科学院微电子研究所 12 63 3.0 7.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
PAE效应
等离子
栅氧化层
可靠性
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
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