InGaAs PIN光电探测器的暗电流特性研究

• 作者: 刘天东 张永刚 李爱珍 郝国强
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 光电探测器 暗电流 InGaAs 化合物半导体
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 341-344,379
• 页数: 5页
• 分类号: TN21
• 字数: 2517字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2004.05.004

摘要

从理论上分析了In0.53Ga0.47As PIN光电探测器在不同掺杂浓度及反向偏压下的暗电流特性,并与研制的器件的实测结果进行了比较和讨论.模拟结果表明:在低偏压下,器件中的产生复合电流起主要作用,偏压增大时,隧道电流起主要作用,且In0.53Ga0.47As光吸收层的载流子浓度对器件的暗电流有很大的影响,实测器件特性与模拟结果完全符合.文中还对器件结面积和电极尺寸等对暗电流的影响进行了比较和分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李爱珍	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	52	397	10.0	16.0
2	张永刚	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	66	595	12.0	21.0
3	郝国强	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	4	110	4.0	4.0
4	刘天东	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	2	75	2.0	2.0