富锂熔体中提拉法生长近化学计量比铌酸锂(LiNbO3)晶体

• 作者: 刘宏 吴剑波 王继扬 秦小勇 高磊
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 化学计量比 铌酸锂晶体 富锂 晶体生长
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 页码范围: 699-702
• 页数: 4页
• 分类号: O782
• 字数: 2625字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.002

摘要

利用提拉法,在富锂(Li2O∶NbO3=58.5/41.5)熔体中生长了质量良好的近化学计量比铌酸锂单晶,其紫外吸收边位置为308nm,居里温度超过了1200℃.测量了其Z向晶片的压电系数d33,并且观察了Z向晶片的180°畴,结果证明除少数区域外,所生长晶体为单畴.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王继扬	山东大学晶体材料国家重点实验室	200	1444	21.0	30.0
2	刘宏	山东大学晶体材料国家重点实验室	76	778	13.0	26.0
3	高磊	山东大学晶体材料国家重点实验室	31	153	7.0	11.0