施主型界面态引起深亚微米槽栅PMOS特性的退化

• 作者: 任红霞 张晓菊 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 槽栅PMOSFET 施主界面态密度 栅极特性 漏极电流驱动能力 特性退化
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 562-567
• 页数: 6页
• 分类号: TN303
• 字数: 4060字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.05.016

摘要

基于流体动力学能量输运模型,对沟道杂质浓度不同的槽栅和平面PMOSFET中施主型界面态引起的器件特性的退化进行了研究,并与受主型界面态的影响进行了对比.研究结果表明同样浓度的界面态在槽栅器件中引起的器件特性的漂移远大于平面器件,且N型施主界面态密度对器件特性的影响远大于P型界面态,N型施主界面态引起器件特性的退化趋势与P型受主界面态相似,而P型施主界面态则与N型受主界面态相似.沟道杂质浓度不同,界面态引起的器件特性的退化则不同.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	张晓菊	西安电子科技大学微电子研究所	11	35	4.0	5.0
3	任红霞	西安电子科技大学微电子研究所	21	53	4.0	5.0