4H-SiC低压热壁CVD同质外延生长及特性

• 作者: 孙国胜 张永兴 曾一平 李晋闽 王雷 赵万顺 高欣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 低压热壁CVD 同质外延生长 偏晶向衬底
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1549-1554
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 3549字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.12.001

摘要

为了获得高质量4H-SiC外延材料,研制出一套水平式低压热壁CVD(LP-HWCVD)生长系统,在偏晶向的4H-SiC Si(0001)晶面衬底上,利用"台阶控制生长"技术进行了4H-SiC的同质外延生长,典型生长温度和压力分别为1500℃和1.3×103Pa,生长速率控制在1.0μm/h左右.采用Nomarski光学显微镜、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射、Raman散射以及低温光致发光测试技术,研究了4H-SiC的表面形貌、结构和光学特性以及用NH3作为n型掺杂剂的4H-SiC原位掺杂技术,并在此基础上获得了4H-SiC p-n结二极管以及它们在室温及400℃下的电致发光特性,实验结果表明4H-SiC在Si不能工作的高温环境下具有极大的应用潜力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晋闽	中国科学院半导体研究所	75	652	13.0	23.0
2	孙国胜	中国科学院半导体研究所	28	244	9.0	15.0
3	王雷	中国科学院半导体研究所	192	2018	26.0	36.0
4	赵万顺	中国科学院半导体研究所	17	77	5.0	8.0
5	曾一平	中国科学院半导体研究所	85	439	11.0	16.0
6	高欣	中国科学院半导体研究所	46	202	9.0	12.0
7	张永兴	中国科学院半导体研究所	4	21	3.0	4.0