多晶硅注氮制备4.6nm超薄栅介质

• 作者: 张兴 程行之 许晓燕 谭静荣 黄如
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 注氮 应力诱生泄漏电流 电介质击穿
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 227-231
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 3238字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.02.020

摘要

为了改善深亚微米CMOS器件p+-poly栅中硼扩散问题,通过选择合适的注氮能量和剂量,采用多晶硅栅注氮工艺,既降低了硼在多晶硅栅电极中的扩散系数,又在栅介质内引入浓度适宜的氮,有效地抑制了硼在栅介质内的扩散所引起的平带电压漂移,改善了Si/SiO2界面质量,提高了栅介质和器件的可靠性,制备出了性能良好的4.6nm超薄栅介质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子学研究所	87	413	9.0	17.0
2	张兴	北京大学微电子学研究所	120	618	12.0	20.0
3	谭静荣	北京大学微电子学研究所	5	4	1.0	1.0
4	许晓燕	北京大学微电子学研究所	6	6	1.0	1.0
5	程行之	北京大学微电子学研究所	3	2	1.0	1.0