电子束散射角限制投影光刻掩模研制

• 作者: 刘明 叶甜春 李兵 杨清华 董立军 陈大鹏 陈宝钦
• 来源期刊: 光电工程
• 学科: 工学
• 关键词: 电子束光刻 掩模 投影光刻
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 微光刻
• 页码范围: 13-16
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 3253字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-501X.2004.04.004

摘要

掩模制作是电子束散射角限制投影光刻(SCALPEL)的关键技术.通过优化工艺,制作出具有"纳米硅镶嵌结构"的低应力SiNx薄膜作为支撑;开发了电子束直写胶图形的加法工艺,在支撑薄膜上得到清晰的钨 / 铬散射体图形.研制出的SCALPEL掩模,其晶片尺寸为80mm,图形线宽达到0.1μm,经缩小投影曝光得到78nm的图形分辨力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子研究所	207	1983	20.0	38.0
2	李兵	中国科学院微电子研究所	79	708	16.0	24.0
3	叶甜春	中国科学院微电子研究所	200	911	14.0	18.0
4	陈宝钦	中国科学院微电子研究所	50	361	11.0	16.0
5	陈大鹏	中国科学院微电子研究所	79	466	10.0	17.0
6	董立军	中国科学院微电子研究所	11	46	4.0	6.0
7	杨清华	中国科学院微电子研究所	7	24	3.0	4.0