垂直堆垛InAs量子点材料的分子束外延生长

• 作者: 小池一步 李树玮 矢野满明
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 其他
• 关键词: 晶体生长 垂直堆垛的InAs量子点 分子束外延(MBE) 光致发光
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 207-209
• 页数: 3页
• 分类号: O04|O07
• 字数: 2163字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.01.051

摘要

用MBE设备以Stranski-Krastanov 生长方式外延生长了5个周期垂直堆垛的InAs量子点, 在生长过程中使用对形状尺寸控制法来提高垂直堆垛InAs量子点质量和均匀性. 样品外延的主要结构是 500 nm 的GaAs外延层, 15 nm的Al0.5Ga0.5As势垒外延层, 5个周期堆跺的InAs量子点, 50 nm的Al0.5Ga0.5As nm 势垒外延层等. 在生长过程中用反射式高能电子衍射仪(RHEED)实时监控. 生长后用原子力显微镜(AFM)进行表面形貌的表征, 再利用光制发光(PL)对InAs量子点进行观测.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李树玮	中山大学光电材料与技术国家重点实验室	8	39	3.0	6.0