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摘要:
通过PECVD方法,在Si基体表面制备了Si3N4薄膜,给出了XRD、TEM、AES、DPS的分析结果,表明Si3N4是非晶态结构,薄膜的主要成分是Si3N4,SEM分析结果显示Si3N4薄膜与基体材料的结合强度高,薄膜致密性好.
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β-Si3N4单晶体的制备
长柱状
β-Si3N4单晶
制备
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 Si3N4薄膜的成分与结构研究
来源期刊 真空 学科 工学
关键词 Si3N4 薄膜 成分 结构
年,卷(期) 2004,(4) 所属期刊栏目 学术论文
研究方向 页码范围 71-73
页数 3页 分类号 TB43
字数 1400字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1002-0322.2004.04.017
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈荣发 扬州大学机械工程学院 51 260 8.0 13.0
2 赵毅红 扬州大学机械工程学院 27 84 5.0 8.0
3 刘伯实 2 13 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
Si3N4
薄膜
成分
结构
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
真空
双月刊
1002-0322
21-1174/TB
大16开
辽宁省沈阳市万柳塘路2号
8-30
1964
chi
出版文献量(篇)
2692
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3
总被引数(次)
12898
论文1v1指导