无压浸渗SiC/A1的电镀和应用

• 作者: 崔岩 张韧 王子良
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 无压浸渗SiC/A1 表面处理 热处理 可靠性
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 封装与组装
• 页码范围: 26-30
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.94
• 字数: 2573字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2004.05.008

摘要

无压浸渗SiC/A1新材料集高导热性、低热膨胀系数(并在一定范围内可调)、轻量化几大优势于一身,导热性可与W-Cu相当,热膨胀系数可与Si、GaAs等芯片,A12O3,AlN,BeO等瓷件相匹配,比重则不到W-Cu的20%,且可加工性强,成本低,未来可望在封装领域大量替代W-Cu、Mo-Cu等材料.实验证明,此复合材料前处理用有机溶剂和中性化学除油,HNO3,HF混合酸液浸蚀后浸锌,然后化学镀镍,经适当热处理后镀镍、镀金,完全能满足后道封装工艺要求,器件性能经考核完全符合GJB33A-97和GJB128A-97要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张韧		4	47	3.0	4.0
2	崔岩		36	999	15.0	31.0
3	王子良		10	26	3.0	5.0