Gd含量对Gd5Si2Ge2晶体结构和磁性能的影响

• 作者: 吴小山 唐少龙 徐金 徐鹏 罗广圣 蔡宏灵 黄军平
• 来源期刊: 稀土
• 学科: 工学
• 关键词: 磁熵变 Rietveld方法 晶体结构 退火 磁卡效应
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 64-67
• 页数: 4页
• 分类号: TG132.2+7
• 字数: 2271字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-0277.2004.05.017

摘要

用非自耗电弧炉熔炼了Gd5+xSi2Ge2系列样品.用X射线粉末衍射(XRD)和Rietveld方法研究了Gd5+xSi2Ge2系列样品的晶体结构.用自制的仪器测量了样品的居里温度,用振动样品磁强计研究了样品的磁卡效应.对样品的晶体结构分析结果表明:Gd的含量x的变化对Gd5Si2Ge2化合物的晶体结构有较大的影响,当x>0时,样品中含有Gd5(Si,Ge)4和Gd5(Si,Ge)3两个相,并且随着x的增加Gd5(Si,Ge)4相会减少,Gd5(Si,Ge)3相会增加;当x<0时,样品会形成Gd5(Si,Ge)4和Gd(Si,Ge)两相,并且随着x的减少Gd5(Si,Ge)4相会减少,Gd(Si,Ge)相会增多.对样品的磁性能分析结果表明:Gd的含量x>0和x<0时都会降低样品的磁卡效应,样品的居里温度会随着x的增加而增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴小山	南京大学物理系	36	180	6.0	12.0
2	罗广圣	南昌大学材料科学与工程学院	52	130	6.0	8.0
3	蔡宏灵	南京大学物理系	4	25	2.0	4.0
4	徐鹏	南昌大学材料科学与工程学院	28	160	8.0	11.0
5	唐少龙	南京大学物理系	7	12	2.0	3.0
6	黄军平	南昌大学材料科学与工程学院	4	2	1.0	1.0
7	徐金	南京大学物理系	5	14	2.0	3.0