GaAs PHEMT器件的退化特性及可靠性表征方法

• 作者: 刘红侠 张绵 李培咸 郑雪峰 郝跃 韩晓亮
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 阈值电压 碰撞电离 可靠性表征
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 77-81
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.3
• 字数: 2766字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.01.016

摘要

测量了应力前后GaAs PHEMT器件电特性的退化,指出了GaAs PHEMT阈值电压的退化由两个原因引起.栅极下AlGaAs层深能级的空穴积累可以解释阈值电压漂移中暂时性的、可恢复的那部分,积累在栅金属与半导体之间界面层的空穴可以解释阈值电压漂移中永久性的漂移.空穴积累来源于场助作用下电子的退陷和沟道中碰撞电离产生的空穴向栅极流动时被俘获.对高场下碰撞电离率的实验曲线进行拟合,得到碰撞电离率与器件沟道电场峰值的量化关系,可以对GaAs PHEMT器件的电性能和可靠性进行评估.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	刘红侠	西安电子科技大学微电子研究所	91	434	10.0	15.0
3	李培咸	西安电子科技大学微电子研究所	36	324	10.0	17.0
4	郑雪峰	西安电子科技大学微电子研究所	12	39	4.0	6.0
5	韩晓亮	西安电子科技大学微电子研究所	9	64	5.0	8.0
6	张绵	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	16	1.0	2.0