4H-SiC衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的研制

• 作者: 张进城 杨燕 王平 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1672-1674
• 页数: 3页
• 分类号: TN386
• 字数: 1619字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.12.024

摘要

报道了在4H-SiC衬底上AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)的研制和室温特性测试结果.器件采用栅长为0.7μm,夹断电压为-3.2V,获得了最高跨导为202mS/mm,最大漏源饱和电流密度为915mA/mm的优良性能和结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	杨燕	西安电子科技大学微电子研究所	18	93	5.0	8.0
3	张进城	西安电子科技大学微电子研究所	52	301	9.0	14.0
4	王平	西安电子科技大学微电子研究所	32	201	9.0	12.0