半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中的微缺陷的研究

• 作者: 刘彩池 唐蕾 张春玲 徐岳生 王海云 申玉田 覃道志
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 社会科学
• 关键词: SI-GaAs 微缺陷 小位错回线 沉淀成核中心
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 547-550
• 页数: 4页
• 分类号: C8160|W6170
• 字数: 1960字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.027

摘要

砷化镓(GaAs)为第二代半导体材料,GaAs衬底质量直接影响器件性能.利用JEM-2002透射电子显微镜(TEM)及其主要附件X射线能量散射谱仪(EDXA),对半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中微缺陷进行了研究.发现SI-GaAs单晶中的微缺陷包含有富镓沉淀、富砷沉淀、砷沉淀、 GaAs多晶颗粒和小位错回线等.还分析了微缺陷的形成机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘彩池	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	63	305	11.0	14.0
2	徐岳生	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	21	163	7.0	12.0
3	申玉田	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	26	380	11.0	19.0
4	王海云	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	16	86	5.0	8.0
5	唐蕾	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	5	37	3.0	5.0
6	张春玲	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	2	30	2.0	2.0