50nm X射线光刻掩模制备关键技术

• 作者: 伊福廷 叶甜春 张菊芳 彭良强 董立军 谢常青 陈大鹏 韩勇 韩敬东
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: X射线光刻 掩模 金刚石 吸收体 键合
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 新一代同步辐射技术及应用
• 页码范围: 96-98
• 页数: 3页
• 分类号: TN405
• 字数: 2370字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2004.02.004

摘要

X射线光刻(XRL)采用约lnm波长的X射线,是一种接近式光刻.就光刻工艺性能而言,XRL能同时实现高分辨率、大焦深、大像场等,是其他光刻手段难以比拟的.由于不需要辅助工艺,因而工艺成本很低.掩模制造技术是XRL开发中最为困难的部分.本文介绍了适用于50nm XRL的掩模制备的关键技术.