nc-SiC/SiO2镶嵌薄膜材料的制备、结构和发光特性

• 作者: 庄惠照 李玉国 王强 石礼伟 薛成山
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控共溅射 SiC纳米颗粒 微观结构 光致发光
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 23-26,30
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.24|TB383
• 字数: 3058字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2004.07.005

摘要

采用二氧化硅/碳化硅复合靶,用射频磁控共溅射技术和后高温退火的方法在Si(111)衬底上制备了碳化硅纳米颗粒/二氧化硅基质(nc-SiC/SiO2)镶嵌结构薄膜材料.用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的微结构以及光致发光特性.实验结果表明,样品薄膜经高温退火后,部分无定形SiC发生晶化,形成β-SiC纳米颗粒而较均匀地镶嵌在SiO2基质中.以280 nm波长光激发薄膜表面,有较强的365 nm的紫外光发射以及458 nm和490 nm处的蓝光发射,其发光强度随退火温度的升高显著增强,发光归结为薄膜中与Si-O相关的缺陷形成的发光中心.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李玉国	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	44	186	7.0	11.0
2	庄惠照	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	72	276	9.0	11.0
3	薛成山	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	117	476	11.0	13.0
4	王强	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	35	177	7.0	11.0
5	石礼伟	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	17	139	7.0	11.0