HVPE外延GaN膜中黄带的光致发光激发谱研究

• 作者: 侯玉娟 刘学东 卢佃清 张荣 陆金男
• 来源期刊: 物理实验
• 学科: 物理学
• 关键词: 氢化物气相外延 氮化镓 光致发光谱 光致发光激发谱 黄带
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 物理实验与应用
• 页码范围: 19-22
• 页数: 4页
• 分类号: O433|O472
• 字数: 2404字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-4642.2004.06.006

摘要

测量了氢化物气相外延方法生长的非特意掺杂和掺碳GaN外延膜的光致发光谱,并在光致发光谱峰位2.25 eV(550 nm)附近分别测量了光致发光激发谱,对两者进行了比较.从光致发光谱中发现掺碳使黄带明显增强,从光致发光激发谱中看到了掺碳引起的约3.38～2.67 eV(367～465 nn)范围内的特征激发带.利用CC曲线模型说明了特征激发带和黄带之间的关系,分析了黄带的可能起因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘学东	淮海工学院数理科学系	36	138	7.0	9.0
2	卢佃清	淮海工学院数理科学系	52	216	7.0	11.0
3	张荣	南京大学物理系	134	576	13.0	17.0
4	侯玉娟	淮海工学院数理科学系	7	10	2.0	3.0
5	陆金男	淮海工学院数理科学系	16	32	3.0	4.0