硅基AlN应力和压电极化研究

• 作者: 周春红 孔月婵 张荣 沈波 邓咏桢 郑有炓
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 拉曼谱 应力 压电极化 Si-N键
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 495-498
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 1892字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.012

摘要

通过XRD和Raman谱研究了用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在Si(111)面上生长的AlN薄膜层上的应力和压电极化,Raman谱观察到两个声子峰位分别在619.5 cm-1(A1(TO))和668.5 cm-1(E2(high)).通过光学声子E2(high)的频移为13 cm-1计算得到AlN薄膜上的双轴压应力为5.1 GPa,在z轴方向上和在垂直于z轴方向上的应变分别为εzz=6.7×10-3和εxx=-1.1×10-2,产生的压电极化电荷PPE=2.26×10-2 c·m-2,这相当于在Si的表面产生浓度为1.41×1013 c·cm-2的电子积累.同时,实验还发现在MOCVD生长过程中存在Si原子的扩散,在界面处形成了一个过渡层,过渡层主要以Si原子取代Al原子的位置并形成Si-N键为主.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张荣	南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室	134	576	13.0	17.0