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摘要:
采用三指单胞的InGaP/GaAs HBT提取的大信号模型参数,设计出应用于ISM频段的三级AB类功率放大器.通过对传统偏置网络的优化,消除了小信号下的增益压缩.在3.5V电压下,该放大器的最大线性输出功率为30dBm,增益达到29.1dB,对应的功率附加效率为43.4%,临近沟道抑制比达到-100dBc,而静态偏置电流很低,只有109.7mA.
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关键词云
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文献信息
篇名 ISM频段中功率功率放大器
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 异质结双极型晶体管 功率放大器 偏置网络 增益压缩 静态偏置电流
年,卷(期) 2004,(6) 所属期刊栏目 研究快报
研究方向 页码范围 626-632
页数 7页 分类号 TN385
字数 1442字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.06.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘训春 中国科学院微电子研究所 43 222 9.0 11.0
2 钱永学 中国科学院微电子研究所 5 53 4.0 5.0
3 袁志鹏 中国科学院微电子研究所 11 33 3.0 5.0
7 白大夫 中国科学院微电子研究所 1 3 1.0 1.0
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研究主题发展历程
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异质结双极型晶体管
功率放大器
偏置网络
增益压缩
静态偏置电流
研究起点
研究来源
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研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家重点基础研究发展计划(973计划)
英文译名:National Basic Research Program of China
官方网址:http://www.973.gov.cn/
项目类型:
学科类型:农业
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