激发波长和电化学腐蚀对注碳外延硅荧光特性的影响

• 作者: 李忠 李玉国 王强 石礼伟 郭兴龙
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳注入 电化学腐蚀 蓝光发射 发光中心
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 26-29
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.24
• 字数: 1720字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2004.01.005

摘要

电化学腐蚀是蓝光发射的前提,但不同的电化学腐蚀条件对发光强度和峰位影响极大,随着电化学腐蚀条件的加强,蓝光峰将被红光峰代替.激发光波长亦可影响蓝光发射,如260 nm的激发光将引起在360 nm光激发下所获得的431 nm蓝光峰的蓝移.