4H-SiC埋沟MOSFET的研制

• 作者: 张义门 张玉明 郜锦侠
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 埋沟 MOSFET 场效应迁移率
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1561-1566
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 3164字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.12.003

摘要

研制了4H-SiC热氧化生长氧化层埋沟nMOSFET.用室温下N离子注入的方法形成埋沟区和源漏区,然后在1600℃进行激活退火.离子注入所得到的埋沟区深度大约为0.2μm.从转移特性提取出来的峰值场效应迁移率约为18.1cm2/(V·s).造成低场效应迁移率的主要因素可能是粗糙的器件表面(器件表面布满密密麻麻的小坑).3μm和5μm器件的阈值电压分别为1.73V和1.72V.3μm器件饱和跨导约为102μS( V G=20V, V D=10V).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子研究所	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子研究所	126	777	15.0	20.0
3	郜锦侠	西安电子科技大学微电子研究所	8	42	3.0	6.0