Bipolar技术中多晶发射极的腐蚀

• 作者: 刘丽艳 徐政 郑若成
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶发射极 腐蚀 双极CMOs兼容 形貌
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 器件与制造
• 页码范围: 47-49,5
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2465字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2004.02.011

摘要

在现代比较先进的Bipolar技术中,一般采用多晶发射极结构,这种结构可以提高双极管放大倍数和频率响应特性,因此,这种结构得到广泛的应用.由于这种结构中多晶是直接和硅衬底接触的,多晶腐蚀时要注意过腐蚀量、腐蚀均匀性以及腐蚀后硅衬底的形貌问题.本文主要介绍在这种工艺过程中我们进行的相关实验以及控制方法.最后,简单介绍我们工艺开发的第一批结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑若成		20	44	4.0	5.0
2	徐政		14	17	3.0	3.0
3	刘丽艳		1	0	0.0	0.0