Si基纳米结构的电子性质

• 作者: ZHAO Xin-wei 彭英才 王英龙 马蕾
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: Si基纳米发光材料 量子限制效应 电子结构 器件应用
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 专家论坛
• 页码范围: 1-8
• 页数: 8页
• 分类号: TN304.12|O431.2
• 字数: 4686字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2004.02.001

摘要

各种Si基纳米发光材料在Si基光电子器件及其全Si光电子集成技术中具有潜在的应用前景,从理论和实验上对其电子结构进行研究,有助于我们深化对其发光机制的认识与理解.本文主要从量子限制效应发光这一角度,着重介绍了Si纳米晶粒、Ge/Si量子点,SiO2/Si超晶格和超小尺寸Si纳米团簇等不同Si基纳米结构的电子性质以及它们与发光特性之间的关系.还讨论了介质镶嵌和表面钝化对其电子结构的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马蕾	河北大学电子信息工程学院	43	157	8.0	10.0
2	彭英才	河北大学电子信息工程学院	103	593	12.0	19.0
4	王英龙	河北大学物理科学与技术学院	96	301	9.0	12.0