UTB结构量子化效应解析模型

• 作者: 刘晓彦 王雅科 韩汝琦
• 来源期刊: 北京大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: UTB结构 量子化效应 反型层电荷
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 页码范围: 412-416
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1767字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0479-8023.2004.03.013

摘要

通过在UTB结构中利用矩形势垒近似求解沟道的薛定谔方程,应用费米统计建立了UTB MOSFET阈值区载流子量子化的一个解析模型.并利用自恰求解薛定谔方程和泊松方程的结果对模型进行了验证,分析了UTB结构中阈值电压随硅膜厚度变化的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘晓彦	北京大学微电子学研究所	41	268	9.0	15.0
2	韩汝琦	北京大学微电子学研究所	38	261	10.0	14.0
3	王雅科	北京大学微电子学研究所	1	1	1.0	1.0