CVD法在电致发光粉表面包覆SiO2膜

• 作者: 李娟 李志强 田少华 韦志仁
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 电致发光粉 SiO2 包膜 CVD
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 32-35
• 页数: 4页
• 分类号: O482.31
• 字数: 3045字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3660.2004.02.013

摘要

以硅酸乙酯和氧气作为前驱体,在500℃下, 采用流态化CVD法,对ZnS:Cu电致发光粉表面包覆SiO2薄膜,对膜层进行了SEM、EDX、AgNO 3抗腐蚀、发光亮度等测试.结果显示:发光粉颗粒表面明显存在一定量的SiO2.包覆的发光粉耐AgNO3腐蚀时间能达121h之久,样品的初始发光亮度均能达到未包覆样品的70%以上,包膜样品的发光光谱峰没有产生大的移动.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志强	河北大学物理科学与技术学院	71	377	11.0	16.0
2	韦志仁	河北大学物理科学与技术学院	66	570	13.0	20.0
3	田少华	河北大学物理科学与技术学院	8	66	3.0	8.0
4	李娟	河北大学物理科学与技术学院	42	185	7.0	12.0