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摘要:
为了提高移相器性能,通过掺杂的方法研究了La2O3、Sm2O3、Dy2O3、CeO2等稀土氧化物对BSTO/MgO铁电移相材料低频(10 kHz)与高频(2.5 GHz左右)相对介电常数εr、介质损耗tgδ和调谐性T等的影响,并对影响机理作了初步探讨.结果表明,掺杂摩尔分数为0.5%La2O3的BSTO/MgO系统基本上达到了相控阵移相器在高频下工作的要求:10 kHz下,tgδ = 4×10-4,T = 14.6%;2.41 GHz下,tgδ = 6.7×10-3.
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文献信息
篇名 稀土掺杂的BSTO/MgO铁电移相材料
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 无机陶瓷材料 钛酸锶钡/氧化镁 稀土氧化物掺杂 移相器 介电性能
年,卷(期) 2004,(9) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 6-8
页数 3页 分类号 TN2|TM22
字数 2871字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.09.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 蒋微波 8 187 6.0 8.0
2 刘敏 南京工业大学材料科学与工程学院 59 493 13.0 18.0
3 朱海奎 南京工业大学材料科学与工程学院 45 319 9.0 14.0
4 周洪庆 南京工业大学材料科学与工程学院 94 730 13.0 19.0
5 杨春霞 南京工业大学材料科学与工程学院 13 86 5.0 9.0
6 吴红忠 南京工业大学材料科学与工程学院 5 82 4.0 5.0
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电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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