AlGaN/GaN材料HEMT器件优化分析与I-V特性

• 作者: 余志平 王燕 田立林 祃龙
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMT 二维电子气 输出特性
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1285-1290
• 页数: 6页
• 分类号: TN325.+3
• 字数: 3462字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.10.018

摘要

在考虑AlGaN/GaN异质结中的压电极化和自发极化效应的基础上,自洽求解了垂直于沟道方向的薛定谔方程和泊松方程.通过模拟计算,研究了AlGaN/GaN HEMT器件掺杂层Al的组分、厚度、施主掺杂浓度以及栅偏压对二维电子气特性的影响.用准二维物理模型计算了AlGaN/GaN HEMT器件的输出特性,给出了相应的饱和电压和阈值电压,并对计算结果和AlGaN/GaN HEMT器件的结构优化进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余志平	清华大学微电子学研究所	45	158	7.0	10.0
2	田立林	清华大学微电子学研究所	31	116	6.0	8.0
3	王燕	清华大学微电子学研究所	55	351	8.0	17.0
4	祃龙	清华大学微电子学研究所	4	34	3.0	4.0