采用ECR-PEMOCVD方法进行立方和六方GaN单晶薄膜生长的准热力学模型和相图

• 作者: 王三胜 顾彪
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN ECR-PEMOCVD 热力学分析 生长相图
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1041-1047
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 1267字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.09.001

摘要

基于热力学平衡理论,对在电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积系统中的GaN薄膜生长给出了一个化学平衡模型.计算表明,GaN生长的驱动力Δp是以下生长条件的函数:Ⅲ族输入分压,输入Ⅴ/Ⅲ比,生长温度.计算了六方和立方GaN的生长相图,计算结果和我们的实验结果显示出一定的一致性.通过分析,解释了高温和高Ⅴ/Ⅲ比生长条件适合六方GaN的原因.上述模型可以延伸到用于GaN单晶薄膜生长的类似系统中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾彪	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	41	363	12.0	18.0
2	王三胜	清华大学物理系	5	2	1.0	1.0