氧退火对钛酸锶钡薄膜介电常数的影响

• 作者: 李斌 李观启 陈平 黄美浅
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: MIOS结构 C-V特性 介电常数 退火
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: HIC技术
• 页码范围: 37-38,42
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 字数: 2254字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.03.013

摘要

采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺,在SiO2/Si衬底上淀积钛酸锶钡 (Ba1-xSrxTiO3)薄膜,研究在氧气氛中不同温度和时间的退火对薄膜的介电常数的影响.实验结果表明,在退火温度为600℃时,随着氧退火时间的增加,钛酸锶钡薄膜的相对介电常数减小;而在退火时间为30 min时,随着退火温度的增加,钛酸锶钡薄膜的相对介电常数增加.微观结构分析和极化理论解释了这一现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	华南理工大学应用物理系	128	542	12.0	17.0
2	李观启	华南理工大学应用物理系	20	44	4.0	5.0
3	陈平	华南理工大学应用物理系	29	234	8.0	14.0
4	黄美浅	华南理工大学应用物理系	22	79	4.0	8.0