硫系化合物随机存储器研究进展

• 作者: 刘卫丽 刘波 宋志棠 封松林
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硫系化合物随机存储器 Ge2Sb2Te5 纳电子器件
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 专家论坛
• 页码范围: 1-7,39
• 页数: 8页
• 分类号: TN40
• 字数: 4956字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2004.04.001

摘要

系统地介绍了硫系化合物随机存储器(C-RAM)的原理、相关材料、研究现状、特点及今后的发展趋势以及中科院上海微系统与信息技术研究所在C-RAM方面的研究进展.C-RAM由于具有高速读取、高可擦写次数、非易失性、元件尺寸小、功耗低和成本低等优点,被认为是最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器的主流产品.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	封松林		4	122	4.0	4.0
2	宋志棠		3	114	3.0	3.0
3	刘波		2	103	2.0	2.0