离子注入制备GaAs:Mn薄膜的性质研究

• 作者: 刘志凯 宋书林 尹志岗 杨少延 柴春林 陈诺夫
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 半绝缘性砷化镓 磁性半导体 铁磁性转变温度
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 电功能材料及其应用
• 页码范围: 1308-1310
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.7|TN304.054
• 字数: 1730字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.367

摘要

采用高能离子注入的方式,在半绝缘性的GaAs衬底中掺杂引入Mn离子制备了磁性半导体.借助于X-射线衍射仪(XRD)进行了结构分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(004)峰的微小变化.根据原子力显微镜的结果发现,注入后的样品表面没有发生明显的变化.通过使用超导量子干涉仪SQUID进行变温分析,在所分析范围内M-T曲线存在拐点,但其所对应的铁磁性转变温度低于室温.