0.87Na0.5Bi0.5TiO3-0.13PbTiO3薄膜的MOSD+Dipping制备

• 作者: 房昌水 杨长红 王卓 王民
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOSD+Dipping法 C-V曲线 铁电薄膜
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 页码范围: 817-819
• 页数: 3页
• 分类号: TB43
• 字数: 1433字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.028

摘要

采用MOSD+Dipping方法在P型Si(111)衬底上制备了0.87Na0.5Bi0.5TiO3-0.13PbTiO3薄膜.用X射线衍射技术研究了薄膜的结构和结晶性.用原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌.同时还研究了薄膜的存储性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王卓	山东大学晶体材料国家重点实验室	18	63	5.0	7.0
2	杨长红	山东大学晶体材料国家重点实验室	13	61	5.0	7.0
3	王民	山东大学晶体材料国家重点实验室	27	290	7.0	16.0
4	房昌水	山东大学晶体材料国家重点实验室	53	430	13.0	19.0