InP/GaAs材料和器件的直接键合

• 作者: 何国荣 林爱清 王水菊 谢生 陈朝 陈松岩
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 直接键合 X-射线光电子谱 Ⅰ-Ⅴ特性 键合强度 探测器
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 426-429
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 2761字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2004.06.004

摘要

采用三步法在GaAs衬底上实现InP材料的键合,通过X-射线光电子谱(XPS)对样品键合界面进行化学价态和深度分布分析.结果表明,键合温度小于450℃时,样品界面主要由三维氢键网络组成;大于450℃时界面处发生互扩散,Ⅴ族元素主要在界面处富集,而Ⅲ族元素具有较深的扩散.因此提出界面层以InGaAs、InGaP为主,这种界面化学态的变化对样品的Ⅰ-Ⅴ特性和键合强度都具有实质意义的影响,同时由于异质结带阶的存在,要获得良好的电学性质和强度,键合温度并不是越高越好,而是存在一个最佳温度.最后,在GaAs衬底上成功地键合了InGaAs/InP光电探测器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈朝	厦门大学物理系	63	420	11.0	18.0
2	陈松岩	厦门大学物理系	68	248	8.0	12.0
3	王水菊	厦门大学分析测试中心	21	199	9.0	13.0
4	林爱清	厦门大学物理系	9	50	3.0	7.0
5	谢生	厦门大学物理系	9	62	6.0	7.0
6	何国荣	厦门大学物理系	11	74	6.0	8.0