离子束淀积方法制备GdSi2薄膜

• 作者: 刘志凯 周剑平 宋书林 李艳丽 杨少延 陈诺夫
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 离子束淀积 X射线衍射 GdSi2
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 972-975
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2555字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.08.016

摘要

采用离子束淀积方法制备了单相GdSi2薄膜.用俄歇电子谱仪对样品的成分进行了分析,用X射线衍射方法分析了样品的结构,并用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌.X射线衍射分析发现在400℃沉积的样品中仅存在正交的GdSiz相.样品在氩气氛中350C,30min退火处理后,GdSi2相衍射峰的半高宽变窄,说明经过退火处理,GdSi2的晶体质量变得更好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李艳丽	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	13	65	4.0	8.0
2	陈诺夫	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	33	154	6.0	11.0
6	周剑平	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	7	20	3.0	4.0
7	杨少延	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	17	35	3.0	5.0
8	宋书林	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	6	4	1.0	2.0