基于SOI的可变电容的特性分析

• 作者: 延涛 张国艳 王阳元 黄如
• 来源期刊: 北京大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 可变电容 SOI 交流分析 器件模拟 ISE
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 页码范围: 835-839
• 页数: 5页
• 分类号: TN4
• 字数: 2554字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0479-8023.2004.05.021

摘要

提出了一种利用二维器件与电路模拟器ISE中的AC分析提取可变电容主要参数的方法,利用它对一种基于SOI的三端可变电容(栅控二极管)进行了模拟研究,并分析了几个主要结构参数对SOI变容管性能的影响.结果显示,栅氧厚度、硅膜掺杂、硅膜厚度等结构参数会对SOI变容管的调节范围和灵敏度有直接影响.在模拟中,还观察到了当栅氧厚度很薄时,多晶硅栅耗尽导致的可调电容的变化范围不规则变化的现象.该研究结果可为SOI可变电容的进一步实验设计和优化以及建模工作提供指导方向和依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国艳	北京大学信息科学学院微电子所	48	187	6.0	12.0
2	黄如	北京大学信息科学学院微电子所	87	413	9.0	17.0
3	王阳元	北京大学信息科学学院微电子所	78	1128	15.0	32.0
4	延涛	北京大学信息科学学院微电子所	1	1	1.0	1.0