GaP1-xNx混晶中新束缚态的研究

• 作者: MASCARENHAS A 吕毅军 张勇 杜武青 林顺勇 辛火平 郑健生 高玉琳
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 发光 Ⅲ-V族半导体 带隙弯曲
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 168-172
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3
• 字数: 4091字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2004.02.013

摘要

利用变温光致发光(PL)谱及时间衰退发光谱研究了一系列GaP1-xNx混晶的光学性质.GaP1-xNx混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征,表现出明显的带隙降低的趋势.测量结果显示,在组分x≥0.24%的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态,对其激活能的拟合及对时间衰退发光谱的分析表明,新的束缚态一方面仍保留有N束缚激子的性质,另一方面又表现出有别于NN对束缚激子的发光机制.说明新的束缚态有可能由新的N原子组成(如NNN原子)或与NN对束缚激子存在着某种相互作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高玉琳	厦门大学物理系	22	66	4.0	7.0
2	吕毅军	厦门大学物理系	26	77	4.0	8.0
3	林顺勇	厦门大学物理系	3	2	1.0	1.0
4	郑健生	厦门大学物理系	17	28	4.0	4.0
5	张勇		5	3	1.0	1.0
6	MASCARENHAS A		3	2	1.0	1.0
7	辛火平	美国加州弗吉尼亚大学电机工程系	2	2	1.0	1.0
8	杜武青	美国加州弗吉尼亚大学电机工程系	2	2	1.0	1.0