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P沟道S-MOS
P沟道S-MOS
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摘要：
推荐文章
P沟道和N沟道MOS场效应管的辐照实验研究
场效应管
吸收剂量
阈电压
大功率P沟道VD MOS器件设计与工艺仿真
P沟道VDMOS
击穿电压
导通电阻
阈值电压
Mn,P共掺杂 MoS2 微米花的制备 及其电解水析氢性能
二硫化钼
Mn, P共掺杂
析氢反应
电解水
基面活性
粉末冶金Fe-5(Cu-10Sn)-石墨-P-MoS2含油材料的摩擦性能
摩擦
自润滑
含油
石墨
P
MoS2
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期刊影响力
电子与封装
主办单位：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
1681-1070
CN：
32-1709/TN
开本：
大16开
出版地：
江苏无锡市惠河路5号（208信箱）
邮发代号：
创刊时间：
2002
语种：
chi
出版文献量（篇）
3006
总下载数（次）
24
总被引数（次）
9543
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