MOCVD法生长ZnO薄膜的结构及光学特性

• 作者: 刘大力 姜秀英 张源涛 李万程 杜国同 杨天鹏 马艳
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 金属有机化学气相沉积 结构 光致发光光谱
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 305-308
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3
• 字数: 2334字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2004.03.017

摘要

采用MOCVD方法在c-Al2O3衬底上生长出了具有单一c轴取向的ZnO薄膜,采用X射线衍射(XRD)、Raman散射、X射线光电子能谱(XPS)及光致发光(PL)谱等方法对ZnO薄膜的结构及光学特性进行分析测试.XRD分析只观察到ZnO薄膜(0002)衍射峰,其FWHM数值为O.184°.Raman散射谱中,435.32 cm-1处喇曼峰为ZnO的E2(high)振动模,A1(LO)振动模位于575.32 cm-1处.XPS分析表明:ZnO薄膜表面易吸附游离态氧,刻蚀后ZnO薄膜O1 光电子能谱峰位于530.2 eV,更接近Zn-O键中O1 电子结合能(530.4 eV).PL谱中,在3.28eV处观察到了自由激子发射峰,而深能级跃迁峰位于2.55eV,二者峰强比值为40:1,表明生长的ZnO薄膜具有较高的光学质量.