微波等离子体退火制备CoSi2薄膜

• 作者: 何贤昶 吴建生 戴永兵 欧阳斯可 汪涛 沈荷生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属硅化物 钴 固相反应 微波等离子体
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 981-985
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.05
• 字数: 3585字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.08.018

摘要

采用微波等离子体退火方法使溅射的金属钴薄膜与(100)硅衬底发生固相反应直接生成CoSi2,证明了采用微波等离子体退火制备低阻硅化钴的可行性.通过X射线衍射图谱发现,当退火时间相同时,在610C时先形成CoSi2(111)织构,750C时(100)取向的CoSi2生长显著.此外,在微波作用下,无需先形成富Co的Co2Si和CoSi,就能直接得到稳态的CoSi2,不同于常规的热处理.分析认为这是因为微波可以促进固相反应中Co原子的扩散,有利于CoSi2形核生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴建生	上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室	141	1402	19.0	30.0
2	沈荷生		45	494	12.0	20.0
3	汪涛	上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室	49	191	7.0	12.0
4	戴永兵	上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室	21	170	7.0	12.0
5	何贤昶	上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室	25	247	8.0	15.0
6	欧阳斯可	上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室	4	11	2.0	3.0