低能量He离子注入局域寿命控制LIGBT的实验研究

• 作者: 唐新伟 张波 方健 李肇基
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: LIGBT 局域寿命控制 He离子注入
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1048-1054
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 字数: 564字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.09.002

摘要

提出了一种采用低能量大剂量He离子注入局域寿命控制的高速LIGBT,并对其进行了实验研究.粒子辐照实验结果显示与常规的LIGBT相比较,该器件的关断时间和正向压降的折中关系得到了改善.同时研究了当局域寿命控制区位于p+-n结附近,甚至在p+阳极内时,该器件的正向压降和关断时间.结果显示当局域寿命控制区在p+阳极内时,仍然对关断时间和正向压降有影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学微电子与固体电子学院	206	1313	17.0	26.0
2	李肇基	电子科技大学微电子与固体电子学院	85	958	14.0	28.0
3	方健	电子科技大学微电子与固体电子学院	35	304	9.0	16.0
4	唐新伟	电子科技大学微电子与固体电子学院	1	3	1.0	1.0