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溅射法低温生长纳米硅薄膜及异质结电池
溅射法低温生长纳米硅薄膜及异质结电池
作者:
于化丛
周之斌
孟凡英
崔容强
赵占霞
赵百川
陈凤翔
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
纳米硅薄膜
异质结电池
摘要:
用射频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在100℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到73%,同时改变薄膜的沉积时间.用Raman、XRD、AFM、SEM 及椭偏仪对薄膜的特性进行了测定.XRD的测试结果表明,样品中存在一种微结构,不同于用PECVD方法生长的薄膜.椭偏仪的测试结果给出这种薄膜具有宽带隙.在室温条件下对异质结薄膜电池的I-V特性进行了测量.
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薄膜
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纳米晶硅薄膜
太阳能电池
低温制备
进展
内容分析
文献信息
引文网络
相关学者/机构
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期刊文献
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
(/次)
(/年)
文献信息
篇名
溅射法低温生长纳米硅薄膜及异质结电池
来源期刊
真空
学科
工学
关键词
纳米硅薄膜
异质结电池
年,卷(期)
2004,(5)
所属期刊栏目
学术论文
研究方向
页码范围
11-14
页数
4页
分类号
TM914.4|TB43
字数
1561字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1002-0322.2004.05.003
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
陈凤翔
上海交通大学物理系太阳能研究所
8
59
5.0
7.0
2
崔容强
上海交通大学物理系太阳能研究所
38
544
14.0
22.0
3
孟凡英
上海交通大学物理系太阳能研究所
21
178
9.0
13.0
4
赵占霞
上海交通大学物理系太阳能研究所
4
18
3.0
4.0
5
周之斌
上海交通大学物理系太阳能研究所
11
83
5.0
9.0
6
于化丛
上海交通大学物理系太阳能研究所
7
54
5.0
7.0
7
赵百川
上海交通大学物理系太阳能研究所
3
40
2.0
3.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
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引文网络
引文网络
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(16)
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二级参考文献(0)
1995(1)
参考文献(1)
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参考文献(1)
二级参考文献(0)
2001(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2003(1)
参考文献(1)
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2004(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2007(1)
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二级引证文献(0)
2009(4)
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2010(5)
引证文献(1)
二级引证文献(4)
2011(3)
引证文献(0)
二级引证文献(3)
2012(4)
引证文献(0)
二级引证文献(4)
2013(1)
引证文献(0)
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2014(2)
引证文献(0)
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2015(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
纳米硅薄膜
异质结电池
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
真空
主办单位:
中国机械工业集团公司沈阳真空技术研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1002-0322
CN:
21-1174/TB
开本:
大16开
出版地:
辽宁省沈阳市万柳塘路2号
邮发代号:
8-30
创刊时间:
1964
语种:
chi
出版文献量(篇)
2692
总下载数(次)
3
总被引数(次)
12898
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