基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
用射频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在100℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到73%,同时改变薄膜的沉积时间.用Raman、XRD、AFM、SEM 及椭偏仪对薄膜的特性进行了测定.XRD的测试结果表明,样品中存在一种微结构,不同于用PECVD方法生长的薄膜.椭偏仪的测试结果给出这种薄膜具有宽带隙.在室温条件下对异质结薄膜电池的I-V特性进行了测量.
推荐文章
纳米晶硅多层薄膜的低温调控及其发光特性
纳米晶硅
多层薄膜
显微结构
低温过程控制
纳米粒子
光致发光
纳米硅薄膜太阳能电池的制备及特性研究
纳米硅薄膜
等离子体增强化学气相沉积
沉积理论
性能
氢化纳米硅薄膜及其太阳电池
纳米硅
太阳电池
薄膜
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 溅射法低温生长纳米硅薄膜及异质结电池
来源期刊 真空 学科 工学
关键词 纳米硅薄膜 异质结电池
年,卷(期) 2004,(5) 所属期刊栏目 学术论文
研究方向 页码范围 11-14
页数 4页 分类号 TM914.4|TB43
字数 1561字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1002-0322.2004.05.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈凤翔 上海交通大学物理系太阳能研究所 8 59 5.0 7.0
2 崔容强 上海交通大学物理系太阳能研究所 38 544 14.0 22.0
3 孟凡英 上海交通大学物理系太阳能研究所 21 178 9.0 13.0
4 赵占霞 上海交通大学物理系太阳能研究所 4 18 3.0 4.0
5 周之斌 上海交通大学物理系太阳能研究所 11 83 5.0 9.0
6 于化丛 上海交通大学物理系太阳能研究所 7 54 5.0 7.0
7 赵百川 上海交通大学物理系太阳能研究所 3 40 2.0 3.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (5)
节点文献
引证文献  (5)
同被引文献  (6)
二级引证文献  (16)
1994(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1995(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1999(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2001(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2003(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2004(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2007(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2009(4)
  • 引证文献(3)
  • 二级引证文献(1)
2010(5)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(4)
2011(3)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(3)
2012(4)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(4)
2013(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
2014(2)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(2)
2015(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
纳米硅薄膜
异质结电池
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
真空
双月刊
1002-0322
21-1174/TB
大16开
辽宁省沈阳市万柳塘路2号
8-30
1964
chi
出版文献量(篇)
2692
总下载数(次)
3
总被引数(次)
12898
论文1v1指导