CMOS射频集成电路的研究进展

• 作者: 张兴 张国艳 王阳元 黄如
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 射频集成电路 低噪声放大器 混频器 压控振荡器 功率放大器
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 模拟IC技术发展论坛
• 页码范围: 377-383,389
• 页数: 8页
• 分类号: TN432
• 字数: 7148字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2004.04.006

摘要

近年来,射频集成电路(RF IC)的应用和研究得到了飞速的发展,CMOS射频IC的研究更是成为该领域的研究重点和热点.文章对CMOS技术在射频和微波领域的应用进行了详细的探讨,着重介绍了当前射频通讯中常用的收发机结构及其存在的问题和解决方案;分析了射频收发机前端关键电路模块低噪声放大器(LNA)、混频器(Mixer)、压控振荡器(VCO)、功率放大器(PA)和射频关键无源元件的最新研究进展;展望了CMOS技术在射频领域的发展前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国艳	北京大学微电子学研究所	48	187	6.0	12.0
2	黄如	北京大学微电子学研究所	87	413	9.0	17.0
3	张兴	北京大学微电子学研究所	120	618	12.0	20.0
4	王阳元	北京大学微电子学研究所	78	1128	15.0	32.0