一种新型的高精度神经元MOS源极跟随单元电路

• 作者: 余宁梅 刘梦新 杨媛 高勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 神经元MOS 源极跟随电路 阈值
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1074-1078
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 2135字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.09.006

摘要

提出了一种新型的神经元MOS源极跟随电路结构,该电路即使在输入信号小于阈值电压的情况下也能够完成源极跟随的功能,因而具有较高的精度.仿真和实验结果表明它比传统的神经元MOS源极跟随电路具有更高的精度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高勇	西安理工大学电子工程系	189	1184	15.0	26.0
2	杨媛	西安理工大学电子工程系	92	559	12.0	19.0
3	余宁梅	西安理工大学电子工程系	97	476	11.0	15.0
4	刘梦新	西安理工大学电子工程系	9	19	3.0	4.0