TATB的电子结构与成键图像

• 作者: 刘韩星 朱磊 闵新民
• 来源期刊: 含能材料
• 关键词: TATB 电子结构 成键图像 离散高分密度泛函方法(PDF-DVW)
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 数值模拟与分子设计技术
• 页码范围: 537-539
• 页数: 3页
• 字数: 1474字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-9941.2004.z1.134

摘要

用离散变分密度泛函方法(DFT-DVM)研究了TATB分子的电子结构和成键图像.整个TATB分子上面离子的净电荷是正负相间的.C-N(硝基)共价键级比C-C和C-N(胺基)小,而氢键共价键级比上述各键小了一个数量级.总态密度费米能级处的禁带宽度约2.5eV.分态密度中,带负电的碳,氮和氧为相似的一类,带正电的为另一类.讨论了大π键,氢键,最高占据轨道及最低空轨道的成键图象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘韩星	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	105	1103	18.0	28.0
2	朱磊	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	16	159	5.0	12.0
3	闵新民	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	33	297	11.0	15.0