反偏籽晶晶向生长Φ2″HB-GaAs单晶

• 作者: 于洪国 张海涛 武壮文 王继荣
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 反偏籽晶 热导率 HB-GaAs单晶生长
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 458-461
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.053
• 字数: 1844字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.002

摘要

HB-GaAs (100) 片要偏离生长截面54.7°～60°切割(〈100〉和〈111〉之间的夹角是54.7°).如果籽晶方向与〈100〉之间的夹角少于54.7°,称为反偏籽晶.而采用大于54.7°角生长的单晶切割比较困难,尤其是厚度小于300 μm的晶片.为了减少切割难度,可生长反偏籽晶的单晶,但要保证单晶能割出Φ2″(100)圆片,必须增加单晶锭的截面积.由于GaAs的热导率小,大截面单晶生长要困难得多.通过改变固液截面附近的加热元件结构,在特定方向加强了散热,延伸了温度梯度的线性范围,使用反偏籽晶,成功地生长了Φ2″ HB-GaAs单晶.和正偏籽晶单晶相比,这些单晶锭的切割破损率减少了24%,每100 mm长度出片数增加了30%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于洪国		2	0	0.0	0.0
3	武壮文		2	0	0.0	0.0
7	张海涛		2	0	0.0	0.0
9	王继荣		1	0	0.0	0.0