Pt基埋栅势垒GaAs基增强型InAlAs/InGaAs改性高电子迁移率晶体管

• 作者: 吴旭 李拂晓 焦刚 陈效建
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MHEMT 增强型 Pt基埋栅势垒 稳定性
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1137-1142
• 页数: 6页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 2371字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.09.018

摘要

讨论了采用埋栅结构实现GaAs基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)增强型模式工作的有关问题,提出了增强型MHEMT的设计与实现方法.通过不同金属(Al,Pt,Ti)/InAlAs Schottky势垒系统的实验比较研究,确定在增强型MHEMT工艺中采用具有最高势垒高度的Pt Schottky埋栅结构;并进行了以最佳"推栅"温度为重点的器件工艺的深入研究.在此基础上通过实验研制的原理性1.0μm×100μm Pt栅增强型MHEMT的特性获得了夹断电压为+0.12V,跨导为470mS/mm及截止频率为50GHz的测试结果,优于使用同一外延片制作的D-MHEMT.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李拂晓		60	352	10.0	14.0
2	陈效建		40	253	9.0	14.0
3	焦刚		12	80	5.0	8.0
4	吴旭		2	3	1.0	1.0