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高K栅介质研究进展
高K栅介质研究进展
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摘要：
介绍了国内外对高K栅极介质的研究现状.分析了适合用于作为栅极介质的高介电常数材料的种类,用于制备高K薄膜的方法.最后提出了目前有待于进一步解决的问题
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先进的Hf基高k栅介质研究进展
高介电常数
HfO2
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高介电栅介质材料研究进展
高介电栅介质
晶化温度
低介电界面层
金属栅电极
PMMA基高储能电介质材料研究进展
PMMA基聚合物
储能密度
介电常数
电介质材料
电介质储能材料研究进展
储能密度
介电材料
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研究主题发展历程
节点文献
高介电常数材料
栅极
介电层
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
开本：
大16开
出版地：
石家庄179信箱46分箱
邮发代号：
18-65
创刊时间：
1976
语种：
chi
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
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