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摘要:
本文提出了一个基于模拟退火技术的CMOS标准(库)单元版图生成中的单元内晶体管布局算法,在满足高度约束的前提下同时优化单元版图的面积和时延,可处理不局限于静态串并联结构的电路,考虑大尺寸管子折叠等因素,最终生成二维样式标准单元版图.
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文献信息
篇名 CMOS单元版图生成中的晶体管布局算法
来源期刊 电路与系统学报 学科 工学
关键词 单元版图生成 晶体管布局 模拟退火
年,卷(期) 2004,(4) 所属期刊栏目 研究简报
研究方向 页码范围 121-124
页数 4页 分类号 TN402
字数 3173字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-0249.2004.04.028
五维指标
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研究主题发展历程
节点文献
单元版图生成
晶体管布局
模拟退火
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电路与系统学报
双月刊
1007-0249
44-1392/TN
16开
广东省广州市
1996
chi
出版文献量(篇)
2090
总下载数(次)
5
总被引数(次)
21491
论文1v1指导