基底温度对ITO薄膜红外发射特性的影响

• 作者: 刁训刚 王天民 王聪 王金良 胡亚兰 郝维昌
• 来源期刊: 红外
• 学科: 工学
• 关键词: ITO薄膜 基底温度 透过率 方块电阻 红外发射率
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 页码范围: 21-24
• 页数: 4页
• 分类号: TN21
• 字数: 2833字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-8785.2004.01.005

摘要

本文采用射频磁控溅射法制备ITO薄膜,该薄膜具有较低的红外发射率.利用紫外-可见-近红外分光光度计、红外发射率测量仪、四探针测试仪研究了溅射过程中基底温度对ITO薄膜红外特性和光电性能的影响,并且用AFM对ITO薄膜的表面形貌进行了表征.实验发现,随着基底温度的升高,薄膜的表面颗粒增大,透过率、方块电阻、平均红外发射率均会降低.本文还讨论了8μm～14μm波段平均红外发射率与方块电阻之间的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王天民	北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心	140	1545	22.0	32.0
2	王金良	北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心	24	125	7.0	10.0
3	郝维昌	北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心	44	459	11.0	20.0
4	刁训刚	北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心	55	359	10.0	16.0
5	王聪	北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心	45	510	12.0	21.0
6	胡亚兰	北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心	1	5	1.0	1.0